Graphenoxidlösung

Halbleiteranalog von Graphen: Graphenoxid wurde in unseren Forschungs- und Entwicklungsanlagen unter Verwendung der Hummer-Technik der modifizierten Reaktion in Wasserdispersionslösung synthetisiert. Die Wachstumstechnik legt den Schwerpunkt auf der Minimierung der Defektdichte, um optisch aktives Material zu erhalten, und auf der Erhöhung der durchschnittlichen Korngröße (Flockengröße). Im Gegensatz zu vielen anderen Graphenoxiden ist dieses Produkt optisch aktiv und bereit für die 2D-Halbleiterforschung. Jeder Wachstumsarch wurde durch Auger-Elektronen- und Röntgenphotoelektronenspektroskopie zur Bestimmung der Stöchiometrie gekennzeichnet; Raman, PL-Spektroskopie und optische Absorption für optische Eigenschaften Tests; AFM-Messungen für die atomische Ebenheit. Das Produkt zeigt PL bei ~2,5 eV, Subbänder bei 2,2 und 2,0 eV und breite Defektlinien bei 1,7 eV an. Raman-Spektroskopiemessungen ergeben D-, G-, 2D- und G+D-Spitzen. Proben sind voll mit Sauerstoff gesättigt und die optischen Eigenschaften des Materials können durch einfache Wärmebehandlung abgestimmt werden. Das Produkt eignet sich ideal für das Ausgeben von Monoschichten auf verschiedene Substrate innerhalb von 2-10 Minuten. Die Konzentration der Monoschichtlösung wird auf 92 mg/l festgelegt.